北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121531724A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，公开了一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法，半导体器件具有改善的存储单元的选择器特性。半导体器件包括：多个存储单元，其中，存储单元中的每个存储单元包括：存储层；选择器层，该选择器层形成在存储层的上部或下部中，以选择存储层；以及缓冲层，该缓冲层直接耦接到选择器层的上部或下部，其中，缓冲层包括非晶硅层，该非晶硅层包括选自包括周期表的第13族元素、第14族元素以及第15族元素的组中的至少一种掺杂剂。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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