春节前存储价格分化：DRAM回调、NAND暴涨，国产份额攀升至全球前列

来源：中关村在线

春节假期临近，国内存储市场近期出现价格波动，部分内存产品报价出现回调，市场情绪趋于理性。

深圳华强北现货市场反馈显示，主流DDR4内存价格较2025年高点回落约一成至两成，但整体仍处于历史较高水平。有商户表示，DDR4内存自去年底以来累计涨幅达五至六倍，当前虽有小幅松动，单条价格仍普遍在一千八百元左右，个别型号甚至高于同等重量黄金的市价。

相较之下，NAND闪存原厂调价更为激进，部分产品报价计划翻倍；eMMC嵌入式存储价格亦显著上扬。受此影响，多家整机厂商确认，中低端笔记本电脑终端售价已上调百分之五至百分之十；部分游戏本拟于春节后启动新一轮调价，最高涨幅可达百分之三十三，单台提价上限约一千元。

据行业统计，2025年全球DRAM与NAND Flash市场规模首次突破两千亿美元，达二千二百一十五点九一亿美元，同比增长百分之三十二点七。按当前汇率折算，约合人民币一万五千三百亿元。

国际主要存储原厂库存普遍处于低位。三星、SK海力士及美光等企业正推动定价机制转型，由传统季度议价逐步转向供货后按实时市场价格结算的动态模式。产能方面，各厂商预计2026年一季度DRAM芯片出货量增幅不足百分之五，NAND芯片增幅维持在百分之五至百分之十区间；新建产线多处于建设阶段，大规模量产普遍要等到2027年下半年。

国内存储制造能力持续增强。长鑫科技与长江存储均加快扩产节奏。数据显示，长鑫科技全球DRAM市场份额已升至百分之三点九七，位列国内第一、全球第四；长江存储NAND产品全球出货占比在2025年第一季度首次突破百分之十，至第三季度进一步提升至百分之十三。

伴随国产存储产能释放，上游半导体设备厂商业绩同步显现。中微公司披露，因先进逻辑芯片及存储芯片制造中高端刻蚀设备交付量大幅增长，2025年预计实现归母净利润二十点八亿至二十一亿八千万元，同比增长约百分之二十八点七四至百分之三十四点九三；测试设备厂商长川科技亦预计2025年盈利实现翻倍增长。

此外，国际主流消费电子品牌已开始将中国大陆存储芯片纳入供应链评估体系，部分厂商已完成初步技术验证与采购意向对接。