HBM4内存大单被瓜分！

芯东西（公众号：aichip001）
作者 ZeR0
编辑 漠影

芯东西2月13日报道，HBM战局连生变数，美光科技周三刚披露已提前一个季度开展HBM4产品的量产和商业出货，三星就在昨日推出业界首款商用HBM4。

这给全球HBM霸主SK海力士不断施加新压力。

SK海力士曾放话将保持HBM4芯片“压倒性”的市场份额，计划使HBM4的生产良率与HBM3E芯片相近，并在最新一季的财报电话会议中强调自己积累的量产经验和客户信任度都“短时间内难以赶上”。

美光科技计划在2026年全面推出HBM4。在周三的一场行业会议上，美光科技CFO Mark Murphy透露，美光已开展HBM4产品的量产和商业出货，这比去年12月财报会议上披露的“第二季度”提前了一个季度。

他强调说，美光HBM4产品的数据处理速度超过11Gbps，公司“对HBM4产品的性能、质量和可靠性非常有信心”。

周四，三星宣布自家HBM4已开始量产，并已向客户交付商用产品，预计其HBM产品销量在2026年将达到2025年的3倍以上，并正积极扩大HBM4的产能；其HBM4E样品预计将于2026年下半年开始发放，而定制HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。

产品规格方面，三星HBM4采用第六代10nm级DRAM工艺1c DRAM和4nm逻辑工艺，可提供高达11.7Gbps的稳定处理速度，比业界标准的8Gbps提升约46%，比其前代产品HBM3E的最高引脚速度9.6Gbps提升22%。与HBM3E相比，其每个堆栈的总内存带宽提高至2.7倍，最高可达3.3TB/s。

英伟达将在今年3月的GTC大会上发布新一代旗舰AI计算平台Vera Rubin，预计将进一步点燃HBM抢位战。

在今年1月底到访中国台湾期间，英伟达创始人兼CEO黄仁勋透露，英伟达与所有主要的HBM供应商都有合作，今年非常依赖这些合作伙伴来满足飙升的需求。

早先有韩媒援引消息人士报道，英伟达将其HBM4需求的约70%分配给了SK海力士。但是这一爆料数据近期又有变化。

据韩媒2月9日报道，三星将于2月开始量产并向英伟达交付HBM4，英伟达于去年12月初步将HBM4需求的约50%分给SK海力士，三星和美光则各分到20%左右。

市场研究机构Counterpoint Research此前预计，2026年全球HBM4市场中，SK海力士、三星、美光的市占率分别为54%、28%、18%。

另据TrendForce集邦咨询最新研究，三大存储芯片原厂的HBM4验证程序已进展至尾声，预计将在2026年第二季度陆续完成。其中，三星预期将率先通过验证，SK海力士、美光随后跟上。

去年6月，美光向重点客户交付了36GB、12层封装的HBM4样品。该HBM4基于其成熟的1β DRAM工艺，采用2048位接口，每个内存堆栈的读写速度超过2.0TB/s，性能比上一代产品HBM3E提升超过60%，能效提升超过20%。

三星HBM4产品同样采用12层堆叠技术，容量从24GB到36GB，还计划通过采用16层堆叠技术，将容量扩展至最高48GB。

三星在核心芯片中集成了先进的低功耗设计方案。与上一代HBM3E相比，其HBM4通过采用低电压硅通孔（TSV）技术和电源分配网络（PDN）优化，将能效提升40%、热阻降低10%、散热能力提高30%。

虽然数据中心市场对先进HBM的需求，但几家存储芯片巨头未必有足够动力去全力投入HBM4生产，因为通用DRAM产品的价格也在飙升。

国际投资银行高盛披露，今年通用DRAM的价格为每Gb 1.25美元，或每GB 10美元（1GB=8Gb）。这个价格与当前HBM市场的旗舰产品12层HBM3E（第五代HBM）产品并没有显著差异。由于通用DRAM无需像HBM那样采用顶尖封装技术，因此其利润率据称要高得多。

随着存储供应持续紧张，AI基础设施产业的主导地位正在发生变化，存储芯片大厂们将掌握更高的议价权。