北京
国家知识产权局信息显示，南通尚阳通集成电路有限公司申请一项名为“沟槽栅半导体功率器件的制造方法”的专利，公开号CN121510615A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽栅半导体功率器件的制造方法，包括：在第一外延层上形成第一硬质掩膜层。对第一硬质掩膜层进行图形化刻蚀以将栅极沟槽的形成区域打开。对第一外延层进行刻蚀形成栅极沟槽。去除第一硬质掩膜层之后再进行第一次热氧化工艺以在栅极沟槽的内侧表面和栅极沟槽外表面形成第一场氧化层。进行第一次CVD生长工艺形成第二场氧化层，由第一和第二场氧化层叠加形成第三场氧化层。进行第一次CMP工艺以将栅极沟槽外的第三场氧化层去除。形成第一多晶硅层将栅极沟槽完全填充并延伸到栅极沟槽外。进行第二次CMP工艺对第一多晶硅层进行平坦化。本发明能同时改善栅极沟槽区域和平台区的结构一致性，能综合改善器件的性能和良率。
天眼查资料显示，南通尚阳通集成电路有限公司，成立于2018年，位于南通市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，南通尚阳通集成电路有限公司参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息75条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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