北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“降低高深宽比工艺中电弧缺陷的方法”的专利，公开号CN121510889A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种降低高深宽比工艺中电弧缺陷的方法。该方法应用于对经过干法刻蚀的晶圆进行湿法清洗，包括：采用低电导率的第一清洗液对晶圆进行第一清洗处理，通过先降低转速形成厚液膜以物理性分散带电聚合物，再提高转速将污染物甩离晶圆；采用电导率高于第一清洗液的第二清洗液对晶圆进行第二清洗处理，以导走表面剩余的电荷。本发明通过“先物理剥离、后电学中和”的两步电荷释放策略，实现了对表面电荷的温和、逐步去除，有效控制了电荷释放速率，避免了因瞬间放电导致的电弧缺陷，降低了缺陷率，提升了产品良率，且工艺兼容性好，无需增加额外硬件成本。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2094次，专利信息2708条，此外企业还拥有行政许可397个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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