北京
国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种掩膜结构形成方法”的专利，公开号CN121496378A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明的一种掩膜结构的形成方法属于等离子体沉积技术领域，为了解决掩膜结构侧壁在刻蚀时出现形貌缺陷的技术问题，本发明的形成方法包括提供一基片，所述基片上具有多层堆叠的待刻蚀层；通入反应气体，在第一条件下形成等离子体状态，以在所述待刻蚀层上沉积第一掩膜材料层，所述第一条件包含第一射频功率；在第二条件下形成等离子体状态，以在所述第一掩膜材料层上沉积第二掩膜材料层，所述第二条件包含第二射频功率；以及，控制所述第一射频功率小于第二射频功率，使所述第二掩膜材料层的硬度大于第一掩膜材料层的硬度。用于形成掩膜结构来保护待刻蚀层的尺寸范围。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62614.5307万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目79次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1641条，此外企业还拥有行政许可77个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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