北京
国家知识产权局信息显示，西南交通大学;重庆市轨道交通（集团）有限公司;重庆中车长客轨道车辆有限公司;重庆中车轨道装备检修服务有限公司申请一项名为“一种SIC MOSFET去饱和短路保护优化电路及参数设计方法”的专利，公开号CN121508507A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种SiC MOSFET去饱和短路保护优化电路，涉及半导体功率器件技术领域，该电路包括SiC MOSFET模块、驱动单元、去饱和检测单元、消隐电容、充放电单元、第一电阻及第二电阻，驱动单元含第一、二、三引脚，第一引脚接S iC MOSFET模块漏极，第二、三引脚接其栅极；去饱和检测单元连于模块漏极与第一引脚间；消隐电容接第一引脚与地；充放电单元含并联的充电、放电支路，均连于模块栅极与第一引脚间；第一电阻接模块栅极与第二引脚，第二电阻接模块栅极与第三引脚且二者并联，本电路旨在解决传统去饱和保护响应慢、适配性差的问题，可加速短路故障处理，降低SiC MOSFET短路峰值电流，提升工作可靠性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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