北京
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国家知识产权局信息显示，硅电子股份公司申请一项名为“由单晶硅生产半导体晶圆的工艺”的专利，公开号CN121511331A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提出一种由单晶硅生产半导体晶圆的工艺，包括从存在于坩埚中的熔体提拉硅单晶的圆柱形区段以及随后提拉所述硅单晶的端部锥体；其中，与提拉所述圆柱形区段的端部区域的提拉速度相比，提拉所述端部锥体的提拉速度保持基本恒定；在提拉单晶的圆柱形区段和端部锥体期间，以一定的旋转速度且沿一定的旋转方向使所述坩埚旋转；以及从单晶的圆柱形区段切分出单晶硅半导体晶圆，其中在提拉所述端部锥体期间的提拉速度至少大于0.46mm/min，同时所述坩埚的旋转方向持续地改变，并且改变旋转方向之前和之后的旋转速度的量值不小于6rpm。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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