北京
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“测试结构及其测试方法”的专利，公开号CN121510969A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种测试结构及其测试方法，测试结构包括一个或多个测试单元，测试单元包括：基底，基底包括衬底，以及位于衬底上的鳍部；栅极结构，横跨鳍部，栅极结构作为驱动电压输入端；源漏掺杂层，位于鳍部的其中一端的位置处的源漏掺杂层作为第一源漏掺杂层，剩余的作为第二源漏掺杂层；第一导电插塞，与第一源漏掺杂层电连接；第二导电插塞，与第二源漏掺杂层电连接；在测试单元的数量为一个的情况下，第二导电插塞分别位于各个第二源漏掺杂层上；在测试单元的数量为多个的情况下，第二导电插塞与测试单元一一对应；第一导电插塞和第二导电插塞中的一者作为测试电压输入端，另一者作为接地端。采用上述方案，能够确定各个待测电阻的电阻值。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
