北京
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国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“三维闪存及其制造方法”的专利，公开号CN121487251A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种三维闪存及其制造方法。所述三维闪存包括堆叠结构、环状的通道柱、第一源极/漏极柱、第二源极/漏极柱与电荷储存结构。堆叠结构设置于介电基底上，且包括交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。绝缘层中具有气隙。通道柱设置介电基底上，且贯穿堆叠结构。第一源极/漏极柱与第二源极/漏极柱设置介电基底上，且位于通道柱内并贯穿堆叠结构。第一源极/漏极柱与第二源极/漏极柱彼此分隔开，且各自与通道柱连接。电荷储存结构设置于每一个栅极层与通道柱之间。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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