北京
国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种铌酸锂-氮化硅波导结构、制备方法以及光学陀螺仪”的专利，公开号CN121477512A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种铌酸锂‑氮化硅波导结构，包括依次层叠设置的硅衬底层、第一氧化硅隔离层、第二氧化硅隔离层、铌酸锂薄膜层以及氧化硅介质层；第二氧化硅隔离层包裹有氮化硅层；氮化硅层与铌酸锂薄膜层之间的第二氧化硅隔离层厚度为50±10nm；氮化硅层厚度为400±10nm，铌酸锂薄膜层厚度为600±50nm；氧化硅介质层有至少两个间隔设置的电极。本申请提供一种铌酸锂‑氮化硅波导结构、制备方法以及光学陀螺仪，基于氮化硅和铌酸锂材料的优势，通过铌酸锂和氮化硅混合集成的方法，同时获得超低损耗的氮化硅波导、超高Q值微环谐振器以及高调制速率的铌酸锂调制器，进而提升谐振式集成光学陀螺仪的整体性能。
天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目492次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息821条，此外企业还拥有行政许可47个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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