中国重大突破？芯片制造核心装备成功自研，打破海外几十年垄断！

中国突传重大突破？芯片制造核心装备成功自研，打破海外几十年垄断！ 2026年1月17日，中国核工业集团传来一则重磅消息：我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功实现离子束流稳定输出，核心指标直接对标国际顶尖水平。

此一重大突破也意味着，中国在芯片制造的四大关键设备领域，总算突破了长期以来受制于人的最后一道技术的瓶颈。

离子注入机在芯片制造领域可是个响当当的"神枪手"，它能把离子像子弹一样，以超高速射进硅片内部，让材料的电学性能来个大变身，没有它，功率半导体芯片的制造就无从谈起。

在我们对自主的核心技术的不断突破背景下，这类原本完全依赖进口的设备也逐渐地从“进口的脊梁”转变为“自主的脊梁”，既不再受制于外部的技术进口，也不再担心外部的技术断供。

如今原子能研究院利用核物理加速器的技术积累，通过串列加速器方案，成功破解了高能离子注入的难题，这种跨界技术融合，让中国首次掌握了从底层原理到整机集成的全链路研发能力。

这次突破的意义远不止于一台设备，以高能离子注入机的研发为核心的高能离子技术的突破不仅能为新能源汽车的高效的电机驱动、光伏逆变器的高效的功率转换、智能电网的高效的能量调度等提供了无比的生力军，更将为我国的半导体的核心竞争力提供强有力的有力保障。

国产设备的成熟，直接保障了我国战略产业的供应链安全。更值得关注的是，此次研发团队采用逆向创新路径，联合国内通信电源、压缩机等企业，将零部件成本压降40%，国产化率提升至85%。这种全产业链协同模式，为其他高端装备的自主化提供了样板。

回顾了中国的芯片装备从起步到脱胎换骨的这段不平凡的突围历程，每一歩都充满了无比的艰辛和激荡。

依托于对近30万的试验试误后，才将膜的厚度控制在了0.3埃的极高的精度（甚至比头发的三十万分之一都要小），更为其可歌可泣的就是团队为破解了国外的工艺参数，居然用最原始的“拆机测参数”这种近乎于“捅破脸”的方式来反向攻关。

这份执着最终迎来了实质性的飞跃——国产的离子注入机不仅在技术层面达到了标准，还通过“售后对赌”“分期结算”等创新模式，成功突破了市场的重重壁垒，使得中芯国际、长江存储等知名企业纷纷敢于批量采购。

中国芯片装备的自主化之路，正从单点突破走向系统突围。离子注入机的成功研发，不仅把产业链里的关键缺口给补上了，更是证明了跨界技术融合以及全链条协同合作是行得通的。

在一批批的核心装备的相继国产替代背景下，中国的半导体产业也将在全球的竞争中占得更大的话语权，推动了我国的半导体产业更大程度的自主、更高的水平的发展。同时也将为我国的经济的高质量的发展、为我国的国家安全的长治久安提供了更大的保障。