北京
国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121487572A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请公开了半导体器件及其制造方法，该方法通过提供基体，基体包括半导体衬底和栅极结构，栅极结构位于半导体衬底上，栅极结构包括金属栅；形成掩膜层覆盖金属栅；形成层间介质层覆盖基体，并覆盖掩膜层；利用掩膜层作为蚀刻停止层进行干法刻蚀，以暴露出掩膜层；进行湿法刻蚀，进一步刻蚀掩膜层以形成暴露金属栅的第一接触孔。因此，通过在金属栅上方设置耐刻蚀的掩膜层，使得掩膜层可作为干法刻蚀的停止层阻隔刻蚀气体接触金属栅，减少或避免刻蚀过程中产生氟化铝络合物等高阻副产物；通过进行湿法刻蚀进一步去除掩膜层，以形成暴露金属栅的第一接触孔，从而可降低第一接触孔中后续填充的金属插塞的接触电阻并提升连接稳定性。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1824条，此外企业还拥有行政许可106个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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