北京
国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“光学膜厚测量方法及系统、可读存储介质”的专利，公开号CN121479119A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种光学膜厚测量方法及系统、可读存储介质，能根据待测晶圆当前所处的测量节点，选取合适的光学膜厚测量模型对晶圆上的薄膜进行膜厚测量，并利用所选的所述光学膜厚测量模型所对应的补偿模型对膜厚测量结果进行补偿，由此可以针对不同的测量节点进行精准的膜厚测量和补偿，保证不同测量节点所得到的膜厚测量结果的准确性。而且其中的参考膜厚模型是关于薄膜的每周期生长量GPC和孵化期incubation的线性函数，因此能够反应单个生长周期内的参考厚度变化，且考虑了相应测量节点前的薄膜损耗量，提高了参考精度，保证了光学膜厚测量结果的准确性，由此能够及时发现工艺问题，及时止损，保证机台稳定性监控及产品质量。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目192次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息967条，此外企业还拥有行政许可56个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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