北京
国家知识产权局信息显示，杭州西风半导体有限公司申请一项名为“一种高压电力半导体器件类台面造型批量腐蚀方法及设备”的专利，公开号CN121487515A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明适用于半导体技术领域，提供了一种高压电力半导体器件类台面造型批量腐蚀方法及设备，所述方法包括如下步骤：批量装夹；复合旋转腐蚀；恒温控制；动态更新腐蚀液；梯度造型控制：在芯片结终端边缘区域形成高于中心区域的腐蚀液冲刷速率，在芯片径向形成预设的腐蚀梯度造型，本发明通过公转和自转以使夹具上的各个芯片结终端台面腐蚀速率更均匀一致；通过冷却恒温系统确保腐蚀速率不会因温度波动造成突变；通过对化学腐蚀液槽进行均匀鼓氮，以保证芯片结终端台面接触液体始终处于更新替代流动过程来保证腐蚀速率恒定；通过有边缘造型的腐蚀压片可以有效的设计出从外沿到结径向内的腐蚀液冲刷速率不同，腐蚀得到想要的结终端造型结构。
天眼查资料显示，杭州西风半导体有限公司，成立于2013年，位于杭州市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本2600万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州西风半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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