北京
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国家知识产权局信息显示，科磊股份有限公司申请一项名为“半导体结构的多遍次光学测量”的专利，公开号CN121488155A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本文中提出用于执行半导体结构的多遍次光学测量的方法及系统。测量光束多于一次地入射在半导体晶片的表面上。在一些实施例中，测量光束在照明源与检测器之间的光学路径中多次入射在半导体晶片上的相同测量位点处。在一些其它实施例中，测量光束在照明源与检测器之间的光学路径中入射在半导体晶片上的不同测量位点处。在这些实施例中，相同受测标称结构的例子被制造在每一不同测量位点处。另一方面，光学调制元件安置在测量路径中。又一方面，使用光学调制目标的不同组合的多遍次测量在多目标测量中组合以进一步增强测量敏感度及打破相关性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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