北京
国家知识产权局信息显示，昇澜半导体（常州）有限公司申请一项名为“高熵钙钛矿氧化物压电层制备方法、压电薄膜制备方法及制备装置”的专利，公开号CN121463719A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种高熵钙钛矿氧化物压电层制备方法、压电薄膜制备方法及制备装置，所述高熵钙钛矿氧化物压电层制备方法包括：将基底、镧金属靶材以及铌元素掺杂的锆钛酸铅基靶材置于同一反应腔室内；在氩气与氧气混合气体氛围下对所述锆钛酸铅基靶材进行溅射，以及对所述镧金属靶材进行蒸镀，以在所述基底上形成压电层，其中，对所述镧金属靶材进行蒸镀的过程中，调控镧金属蒸汽的挥发速率和/或沉积速率，以对压电层进行不同浓度的镧元素掺杂的原位调控。本发明能够提高压电薄膜的压电性能、电光调制性能以及对PLNZT薄膜中的掺杂元素含量进行原位定量梯度调控。
天眼查资料显示，昇澜半导体（常州）有限公司，成立于2023年，位于常州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本379.953751万人民币。通过天眼查大数据分析，昇澜半导体（常州）有限公司共对外投资了2家企业，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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