北京
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN121463796A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底具有核心器件区和输入输出器件区，核心器件区与输入输出器件区之间具有第一浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构的顶表面高于衬底的表面，且第一浅沟槽隔离结构的部分侧壁暴露；形成保护层，保护层覆盖第一浅沟槽隔离结构的顶表面及暴露的侧壁。在后续刻蚀第一栅氧化层的过程中，保护层可以保护第一浅沟槽隔离结构，由此避免损伤核心器件区与输入输出器件区之间的第一浅沟槽隔离结构，从而避免第一浅沟槽隔离结构的表面出现台阶高度差。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目936次，专利信息236条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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