北京
国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN121463797A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体技术领域。该深沟槽隔离结构包括衬底，衬底上表面内凹形成具有第一深度的深沟槽；衬底的上表面还内凹形成具有第二深度的环形槽，环形槽围合于深沟槽的外周，且第一深度大于第二深度；深沟槽内部填充隔离材料形成柱状部，环形槽内填充应力材料形成环状部，环形槽的截面宽度由槽口向槽底逐渐减小；应力材料的晶格常数大于衬底的晶格常数，以使环状部具有朝向柱状部的应力。上述深沟槽隔离结构能改善深沟槽隔离结构的表面形态，降低生产难度。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目52次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息204条，此外企业还拥有行政许可180个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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