来源:中关村在线
自2025年起,全球内存市场进入一轮显著偏离常态的价格上涨阶段,各类存储产品的涨幅已远超行业普遍预期。摩根士丹利最新研究显示,2026年内存价格正加速攀升,其中第一季度DRAM合约价预计环比上涨百分之四十至七十,NAND闪存合约价亦将上涨百分之三十至三十五,两项预测均大幅上调于此前市场共识。
这一轮成本端的剧烈波动,已实质性抑制手机产业的研发进程。据业内资深芯片分析人士透露,自2025年9月内存价格启动上行以来,众多手机厂商的中低端产品线受到严重冲击,大量新机型开发计划被迫取消或暂缓立项。
上游芯片制造环节随之调整策略,多家主要供应商已决定缩减2026年晶圆投片规模,以匹配下游需求收缩的实际态势。
高盛分析师进一步指出,存储器件价格持续飙升引发整机硬件成本大幅抬升,导致原本预期中的2026年智能手机市场复苏趋势难以为继。该机构已将全年全球智能手机出货量预测下调百分之六,最新预估为11.9亿部。这意味着2026年全球智能手机市场将结束连续两年的低位企稳状态,转而出现同比百分之六的负增长。
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