性能大幅优于HBM！英特尔推全新内存，或重返DRAM

英特尔正依托当前持续旺盛的动态随机存取存储器（DRAM）市场需求，与软银旗下子公司达成合作，推出全新的ZAM内存技术。

英特尔ZAM内存模组：凭创新互连与EMIB技术实现更高能效

今年，人工智能基础设施建设迎来全面爆发期，在超大规模数据中心运营商和芯片制造商的需求驱动下，DRAM的市场需求呈爆发式增长。更关键的是，全球内存核心供应商数量有限，当前该领域的供应链瓶颈问题极为突出，这也让新竞争者的入局成为行业刚需——据悉，英特尔正瞄准这一机遇，在内存业务板块开辟全新赛道。有消息称，英特尔将与软银旗下的Saimemory联手，研发名为Z型角度内存（Z-Angle Memory，ZAM）的全新行业标准。

据悉，ZAM内存技术的研发工作，最早启动于美国能源部（DoE）发起的先进内存技术（AMT）项目，英特尔也正是在该项目中，首次对外展示了其自研的“下一代”DRAM键合技术。软银发布的官方公告中，并未具体明确ZAM内存的市场定位，但结合英特尔已公开的DRAM键合技术细节来看，ZAM大概率会采用交错式互连拓扑结构：在芯片堆叠内部以对角线方式布设连接线路，而非传统技术中垂直直连的设计。

英特尔高管在谈及下一代DRAM键合技术时表示：“传统内存架构已无法适配人工智能的发展需求，下一代DRAM键合技术（NGDB）开创了全新的技术路径，将推动行业迈入下一个十年。我们正重新思考DRAM的架构设计逻辑，从底层推动计算机系统架构的升级，力求实现性能的数量级提升，并将这些创新成果融入行业通用标准。”

通过Z型角度的互连设计，英特尔能将硅片面积的绝大部分高效用于存储单元的布局，从而实现更高的存储密度，同时降低器件热阻。从英特尔DRAM键合技术的现有设计思路来看，ZAM内存还将采用铜-铜混合键合技术，该技术可实现芯片层间的高效融合，打造出类单片式的硅晶片模块，而非传统技术中相互独立的堆叠结构。此外，据悉ZAM内存将采用无电容设计，英特尔会通过嵌入式多芯片互连桥接技术（EMIB），实现该内存与人工智能芯片的高效互连。

软银与英特尔合作研发ZAM内存，最终也将实现对内存堆叠技术的自主掌控。这款技术或将率先搭载于软银自研的定制化专用集成电路（ASIC），比如Izanagi系列芯片，这也将让软银在芯片架构布局上掌握更强的主导权。目前尚无具体数据披露ZAM内存相较高带宽内存（HBM）的实际性能提升幅度，但Z型角度的互连设计，能为ZAM带来更优的能效和更高的存储密度，最终实现芯片的更高层数堆叠。

整体来看，ZAM内存对比传统HBM内存的核心优势体现在三方面：

1.功耗降低40%至50%；

2.依托Z型角度互连技术，大幅简化芯片制造流程；

3.单芯片存储容量提升，最高可达512GB。

事实上，这并非英特尔首次涉足DRAM领域。该公司曾专门布局DRAM业务，但在1985年，受日本厂商的激烈竞争冲击，英特尔的DRAM市场份额大幅下滑，最终选择退出该领域。而如今，内存市场的发展红利为企业创造了巨大的发展机遇，英特尔的ZAM内存能否在行业中站稳脚跟、掀起变革，成为了行业关注的焦点。而想要实现这一目标，英特尔的关键一步，便是说服英伟达这类行业龙头企业，在其产品中集成ZAM技术。

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