存储芯片巨头赚翻了：营收突破4600亿元，年营业利润首超三星电子

从去年第三季度开始，全球存储芯片市场迎来“涨价潮”，两大主要产品类别DRAM（动态随机存储器）与NAND Flash（闪存）现货价格持续上涨。TrendForce集邦咨询预测，2026年第一季度NAND闪存产品合约价格预计环比上涨55%-60%，通用型DRAM（即非HBM）合约价格将环比上涨90%-95%，高于此前预测的33%-38%、55%-60%。

有业内人士分析认为，这波涨价是人工智能（AI）浪潮引发的结构性供需失衡，全球大型科技公司对AI基础设施的大规模投资推动对HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）、高密度DDR5及企业级固态硬盘（eSSD）的需求骤增，头部厂商将大部分产能转向高附加值产品，挤压了传统型存储供应，造成“高端抢货、中低端紧缺”局面。与此同时，消费电子市场库存去化完成，个人电脑、智能手机出货量同步复苏，进一步加剧需求压力。

简单介绍一下，存储芯片是全球芯片市场比重最大的产品之一，按断电后数据是否会丢失可分为两类，一是易失性存储芯片（RAM，即随机存储内存），由于具有读写速度快的优势，主要用于电脑和手机的内存，包括SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存储器）。

二是非易失性存储芯片（NVM，即只读内存），特点是只能读出事先存储的数据，且断电不丢失数据，主要应用于存储卡、U盘、SSD固态硬盘、移动终端的内部嵌入式存储器等，包括ROM（只读存储器）、Flash（闪存，NAND FLASH、NOR FLASH）。

目前全球存储芯片头部厂商有三星电子（Samsung）、SK海力士（SK hynix）、美光（Micron）、铠侠（Kioxia）、闪迪（SanDisk）等。由于存储芯片价格上涨，两家韩国供应商在2025年都交出了非常靓丽的成绩单。

三星电子实现销售额333.6万亿韩元，同比增加10.9%，创下自成立以来最高值；营业利润43.6万亿韩元，净利润45.2万亿韩元，同比分别增加33.2%、31.2%。其中，第四季度销售额同比增加24%至93.8万亿韩元，刷新单季历史纪录；营业利润同比大涨209.2%，达到创纪录的20.1万亿韩元。【注：按当前汇率，1万亿韩元等于47.9亿元人民币】

存储芯片业务是推动三星电子业绩高增的引擎，DS部门（三星电子半导体业务的核心载体，涵盖存储、系统 LSI、晶圆代工三大板块）2025年第四季度营收增长46.2%至44万亿韩元，营业利润暴涨465.5%至16.4万亿韩元（全年创造24.9万亿韩元）。其中，存储业务营收达到37.1万亿韩元，同比增长61.3%；全年实现营收104.1万亿韩元，同比增长23.2%。

2025年第四季度，三星电子已实现HBM4小批量试产，计划今年2月正式大规模量产交付，包括业界领先的11.7Gbps SKU。同时继续拓展人工智能相关产品的销售，包括高密度DDR5、SOCAMM2、GDDR7等。聚焦高性能TLC固态硬盘销售规模扩大以满足AI KV（键值）固态硬盘需求。

SK海力士的表现更为惊艳，2025年实现营收97.1万亿韩元（约合人民币4651亿元），同比增长47%，再创历史新高。营业利润为47.2万亿韩元，同比增长101%，首度超越三星电子。净利润为42.9万亿韩元，成功扭亏为盈。营业利润率为49%（刷新历史纪录），净利润率为44%（相比之下三星电子只有13.5%）。

作为全球HBM“一哥”（2013年率先量产），SK海力士2025年HBM收入同比增长1倍以上，3月实现全球首批HBM4样品出货，9月率先完成量产准备，第四季度便再次创下季度历史最高业绩，收入32.8万亿韩元，营业利润19.2万亿韩元，同比增长66.1%、137.2%；净利润为15.2万亿韩元；营业利润率高达58%。

作为全球唯一可以同时稳定供应HBM3E和HBM4的厂商，SK海力士已成功拿下英伟达三分之二的HBM订单。同时深化“定制HBM（Custom HBM）”合作的方式构建差异化优势，以巩固其在HBM领域的技术领先地位。

今年2月份，SK海力士将提前启动忠清北道清州市M15X工厂的HBM量产，计划年底将总月产能提升至25万片。年初的时候，公司还宣布将投资19万亿韩元建设面向HBM需求的先进封装后端晶圆厂P&T7，占地面积23.14万平方米，计划4月开工建设，预计明年底竣工。其将与M15X DRAM 前端晶圆厂构成有机整体，确保中长期稳定的生产能力。