北京
国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121432639A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括下层衬底、绝缘埋层和半导体层，所述SOI衬底包括多个半导体器件，所述多个半导体器件包括第一光耦合器，所述SOI衬底中形成有贯穿所述下层衬底和所述绝缘埋层并暴露出所述第一光耦合器的所述半导体层的第一凹槽；绝缘介质层，覆盖所述SOI衬底的形成有所述半导体层的一面。本发明的技术方案使得能够提升芯片的封装灵活度。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1817条，此外企业还拥有行政许可106个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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