北京
分享至
国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“气体分配装置及分配方法、半导体器件加工设备”的专利，公开号CN121439662A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种气体分配装置，包括第一管道、至少一条第二管道和控制器。该第一管道连接气源，并设有压力探测器。该至少一条第二管道分别连接一个处理站，并分别设置有温度调节机构。该控制器连接压力探测器和温度调节机构，并被配置为，根据压力探测器采集的实际气压与目标气压的气压差异，调节温度调节机构的输出功率，以对气压差异进行温度补偿。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息461条，此外企业还拥有行政许可16个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
