北京
国家知识产权局信息显示，无锡芯朋微电子股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121442751A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的半导体器件，包括外延片，外延片具有相邻的有源区和终端区，终端区上依次设置有氧化层和本征多晶硅层，其中，本征多晶硅层中形成有交替设置的N型重掺杂区域和P型轻掺杂区域，相邻的N型重掺杂区域和P型轻掺杂区域形成PN结，多个PN结依次连接，有源区的外延片向下凹陷形成有栅极沟槽，栅极沟槽内填充有掺杂多晶硅以形成沟槽栅。本申请提供的半导体器件及其制备方法，能够在不影响栅极电阻的情况下，提高ESD的性能。
天眼查资料显示，无锡芯朋微电子股份有限公司，成立于2005年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13131.0346万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯朋微电子股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息93条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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