铠侠(Kioxia)宣布,开始出样QLC UFS 4.1闪存,提供了512GB和1TB容量,支持BiCS8 FLASH技术。这是属于嵌入式存储设备的样品,专为读取密集型应用和大容量存储需求设计,相比于传统的TLC UFS闪存提供了更高的位密度,适合需要更高存储容量的移动应用。
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相比于铠侠上一代产品(UFS 4.0/BiCS6 QLC FLASH 3D闪存芯片),新款QLC UFS 4.1闪存的顺序写入速度提升了25%,随机读取速度提升了90%,随机写入速度提升了95%。铠侠表示,新产品非常适合智能手机和平板,另外还有那些需要更高容量和性能支撑的新兴产品类别,包括PC、增强现实/虚拟现实、网络、物联网和人工智能设备。
新款QLC UFS 4.1闪存搭载了BiCS8 FLASH 3D闪存芯片,结合了铠侠先进的控制器和纠错技术,还有开创性的CBA(CMOS directly Bonded to Array)技术,提供了突破性的性能、效率和容量,并集成在JEDEC标准封装中,尺寸比起之前的QLC UFS要更小,从11×13 mm减至9×13 mm。
铠侠表示,将持续推进闪存技术开发,以满足对高容量、高性能存储日益增长的需求,而新款QLC UFS 4.1闪存很好地体现了架构和设计上的持续创新,使客户能够构建更强大的移动和联网产品。
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