易起唠嗑-现在是存储的“超级周期”吗？

龙头业绩不断超预期，存储周期或已跳脱“换机潮”概念

以往，存储芯片周期与终端换机潮历来呈现强耦合的反馈关系，智能手机与PC的换机周期是触发存储需求爆发的核心变量。例如，2016-2017年的存储牛市即由iPhone7系列引发的换机潮与三星Note7退市导致的供给缺口共振而成。

但本轮AI周期正重塑这一传统逻辑，与历史上由消费电子出货量驱动的3-4年周期不同，本轮行情呈现明显的"AI导向"特征，供需错配程度与价格弹性均超越2018年历史高点，近期的三星、海力士、美光等存储行业龙头业绩不断超预期，是否预示着存储或已进入“大周期”？

从数据分析，2025年DDR416Gb价格涨幅高达1800%，DDR5涨幅达500%，512GbNAND闪存涨幅达300%。CounterpointResearch指出，供应商议价能力已达历史最高水平，预计2026年一季度存储价格继续上涨40%-50%，二季度再涨约20%。

图：DRAM与NAND价格周期走势

数据来源：Wind截至：2026.01.28

供需错配成核心变量，HBM产能挤压引发结构性短缺

供给端的产能迁移是本轮周期的核心变量。三星、SK海力士、美光三大原厂将30%产能转向AI服务器所需的HBM4及先进制程，导致传统DRAM产能锐减。由于HBM生产工艺复杂，生产1GBHBM消耗的晶圆产能是DDR5的3倍，常规DRAM产能被大幅挤压。

三星电子最近公布了一份令人瞩目的财报。2025年第四季度，公司营业利润达到20.1万亿韩元，同比增长超过200%，创下历史新高。

另一家存储巨头——SK海力士在AI内存竞赛中表现出色，被业内视为“亚洲最大的AI赢家之一”。2025年全年，公司营收达到97.147万亿韩元，同比增长近50%；营业利润更是翻倍增长，达到47.206万亿韩元。

原厂扩产需2-3年周期，本轮存储景气度有望延续

在AI需求的带动下，存储行业从HBM领域延伸至传统存储领域开启了本轮全面上行周期。CounterpointResearch预计2026年一季度存储价格环比上涨40%-50%，二季度再涨约20%。花旗与摩根士丹利预测2026年全年DRAM均价上涨88%，NAND上涨74%。

原厂扩产产能有限，新增晶圆厂需2-3年建设周期，2027年前难以形成有效供给。云服务商（CSP）的AI资本开支具备强韧性，即使PC与智能手机因高价抑制换机需求，企业级存储仍能支撑高位价格。国金证券与花旗均认为，产业高景气度将贯穿2027年全年。

从历史维度看，2016-2018年的存储上行周期持续约8-9个季度，而本轮周期已自2023年底启动，至今运行约6个季度。考虑到云厂商买方的财力雄厚特性及AI基础设施建设的长期性，本轮周期总长度可能达12-14个季度（至2027年底），显著超越历史均值。

国产存储产业或迎来历史性机遇，带动半导体设备景气度上行

存储芯片价格持续上行正为国产产业创造历史性战略窗口。本轮超级周期中，国内厂商凭借技术突破与资本化布局双轮驱动，加速缩小与国际龙头的技术代差，市场份额提升逻辑持续强化。

产业层面，以长鑫存储（内存）、长江存储（闪存）为双核心的国产阵营正系统性发力。通过IPO融资夯实资本实力、加快产能布局、推进技术升级，国内存储产业已迎来竞争力跃升的关键阶段。在全球供应链重构与价格周期共振背景下，国产存储厂商正从"跟跑"向"并跑"跨越，产业链发展窗口已然确立，带动了半导体设备的景气度不断上行。

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