北京
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法”的专利，公开号CN121419224A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。一种用于形成包括存储器单元的存储器电路系统的方法包括形成竖直交替的绝缘层面与存储器单元层面。存储器单元个别地包括包含栅极的水平晶体管，栅极包括多条水平导电存取线中一者的部分，多条水平导电存取线将位于同一存储器单元层面中的水平晶体管中不同者的栅极中的多者个别地直接电耦合在一起。存取线从存储器阵列区水平延伸到连接区中。在相同时间段内且使用相同处理步骤，在存储器阵列区中形成个别直接电耦合到存储器单元层面中不同者中的水平晶体管的数字线，及在连接区中形成个别直接电耦合到存取线中个别者的导电通路构造。公开其它实施例，包含结构。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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