北京
国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“降低掺硼单晶硅棒杂质条纹发生率的方法及单晶硅棒”的专利，公开号CN121407229A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种降低掺硼单晶硅棒杂质条纹发生率的方法及单晶硅棒，方法包括将多晶硅原料装入石英坩埚，抽真空后升温至预设温度，使原料完全熔融形成硅熔体；向直拉式单晶炉内施加水平磁场，并将磁场强度控制在1000‑3000Gs之间，以降低单晶硅棒的杂质条纹发生率；以预设拉晶参数将硅熔体拉制为单晶硅棒，拉晶过程依次包括引晶、放肩、等径及收尾步骤。施加1000‑3000Gs水平磁场会与导电的硅熔体中的流动离子相互作用，有效地抑制熔体的各种对流，使熔体流动更均匀，杂质扩散路径更顺畅，避免局部富集，降低杂质条纹的发生率。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息369条，此外企业还拥有行政许可25个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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