北京
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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“包括顶部纳米带之上的牺牲层的基于纳米带的晶体管制造技术”的专利，公开号CN121419322A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，公开了在纳米带堆叠体之上使用牺牲层的基于纳米带的晶体管制造技术，其除了保护顶部纳米带免受由后续处理引起的损坏之外，还可以实现栅极电极材料在顶部纳米带之上的更均匀的沉积。在一个示例中，该技术可以涉及在半导体材料的交替层的堆叠体之上沉积牺牲层（例如，电介质材料），该堆叠体随后将被图案化成鳍状物并形成为纳米带堆叠体。在将堆叠体图案化成鳍状物并且释放半导体材料的纳米带之后，牺牲材料层可以充当顶部纳米带之上的虚设纳米带，以使得能够在顶部纳米带之上在两侧上沉积栅极电极材料。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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