北京
国家知识产权局信息显示，珠海天成先进半导体科技有限公司申请一项名为“一种3D封装结构及其制作方法”的专利，公开号CN121419639A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开一种3D封装结构及其制作方法，该方法以玻璃晶圆作第一载板，解决有机材料转接板与Si基硅桥芯片热膨胀系数不匹配导致的可靠性及信号干扰问题。S1中，以玻璃晶圆为基材刻蚀盲孔并金属化填充Cu，玻璃与硅桥热膨胀系数相近，减少热应力变形风险。S2通过刻蚀凹槽、键合临时载板及减薄形成贯穿槽孔，玻璃载板刚性结构维持高密度集成时封装结构稳定。S3中硅桥Die嵌入贯穿槽孔，玻璃低热膨胀特性与硅桥良好匹配，降低界面应力，且玻璃载板介电性能优，减少信号介质损耗，配合硅桥Die提升信号完整性。S4功能芯片贴装转接板后，玻璃基转接板保障可靠连接，抑制信号衰减失真，为高密度集成提供可靠封装方案。
天眼查资料显示，珠海天成先进半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本95000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海天成先进半导体科技有限公司参与招投标项目513次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息78条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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