北京
国家知识产权局信息显示，苏州清煜半导体科技有限公司取得一项名为“一种液相法生长碳化硅单晶用维持铝源供应的生长装置”的专利，授权公告号CN223837643U，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本实用新型涉及碳化硅单晶生产设备技术领域，具体涉及一种液相法生长碳化硅单晶用维持铝源供应的生长装置，包括外加热坩埚、籽晶组件以及石墨坩埚组件；石墨坩埚组件设置在外加热坩埚内；籽晶组件设置在石墨坩埚组件的上方并延伸到石墨坩埚组件内；石墨坩埚组件包括顶部开口的坩埚本体，封盖在坩埚本体上的顶盖以及设置在坩埚本体内的石墨侧板；石墨侧板与坩埚本体同轴设置，并且石墨侧板将坩埚本体内部分隔成两个腔室，两个腔室包括用于容置碳化硅单晶生长所用硅料的内生长腔、用于容纳A l补充料的A l夹腔。该生长装置能够有效分隔了铝、碳的供应阶段，确保在晶体生长的不同阶段能够根据需要供应足够的碳、铝。
天眼查资料显示，苏州清煜半导体科技有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1222.2223万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州清煜半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，专利信息47条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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