【硬件资讯】苦尽甘来，传三星HBM4内存下个月开始供货，NVIDIA、AMD均是目标客户！

新 闻一： 三星HBM4已通过最终资格测试，计划下个月开始向英伟达与AMD供货

据TrendForce报道，三星在HBM4方面似乎取得了非常大的进展，预计在下一代DRAM竞争中将重新具备竞争力。有消息人士透露，三星的HBM4已经通过了最终资格测试，计划下个月开始向英伟达与AMD正式发货。这标志着很可能是量产订单，而非仅供测试的样品量。

有报告显示，三星HBM4的数据传输速率达到了11.7Gb/s，高于英伟达和AMD设定的10Gb/s标准，也远远超过了JEDEC制定的8Gb/s行业标准，成为了目前业界的最高规格。值得注意的是，三星还是在未进行任何重新设计的情况下通过了验证，即便客户提高了性能要求。

三星采用了1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，领先竞争对手一代。同时三星结合了自家代工厂的4nm工艺制造基础裸片（Base Die），相比于SK海力士要依赖于合作伙伴台积电（TSMC），有更长的生产准备时间，生产安排上更灵活，且更好地控制生产成本。

随着Vera Rubin平台全面投产，英伟达正敦促供应商提升响应速度，预计三星将于今年6月全面供应HBM4。展望未来，三星计划利用其从逻辑芯片设计到封装的全整合HBM能力，强化自身在HBM4E和定制HBM解决方案等未来产品中的领导地位。

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在HBM3时代遇冷，在HBM4时代逆袭了吗？其实在去年底，就有消息称三星已经向包括NVIDIA在内的多家目标用户提交了测试，而最近，终于传出了三星已经通过测试的消息。如果消息属实，三星将在下个月开始正式向NVIDIA、AMD出货HBM4内存。这绝对算是最早出货的厂家，三星这下子算是把HBM3上吃的亏赚回来了，等看更正式的结果吧！

新 闻2： 三星加快定制HBM开发，打算在基础裸片引入2nm工艺

AMD和英伟达都将在2026年的下一代AI加速器中首次采用定制HBM，均为基于HBM4的设计，以提升性能，降低延迟。过去HBM的基础裸片（Base Die）都是使用DRAM工艺制造，不过从HBM4时代开始将转移到代工厂，改用逻辑芯片的工艺，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。

据TrendForce报道，近日有消息人士透露，三星打算采用最先进的2nm工艺来制造定制HBM所需要的基础裸片。

随着定制HBM时代的到来，自身拥有代工厂的三星，比起要寻求台积电帮助的SK海力士和美光，预计会从内部生产中获得潜在的成本优势，而且产能分配上也更为灵活，早早就确定以4nm工艺生产基础裸片。现在三星更为激进，直接提供2nm的解决方案。

SK海力士很早就宣布与台积电合作共同开发HBM产品，早期规划基础裸片采用5nm和12nm制造。随着高性能计算（HPC）需求飙升，对人工智能（AI）工艺负载提出了更高的要求，促使台积电再进一步，在定制HBM的基础裸片上导入3nm工艺。传闻英伟达已开始开发自己的HBM基础裸片，打算采用的就是台积电的3nm工艺，计划在2027年下半年进行小批量试产。

将基础裸片转换到代工厂将对HBM产品带来成本压力，美光打算推迟到HBM4E时代才转成台积电，暂时还不清楚制造工艺的选择。

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另外，三星也在进一步扩大自己的另一个优势——自有的新进半导体技术。现阶段，三星已经可以生产2nm芯片了，随着NVIDIA自研HBM基板之后，对先进制程HBM基板的需求就不是空谈了，而三星正可以用醉的的成本完成这种先进制程基板。而今，三星也确实有在基础裸片引入2nm工艺，不知道有多少客户有兴趣了。

新 闻3： 三星准备新一轮存储器价格上涨，消费端DRAM和NAND闪存涨幅或超50%

很快三星将公布最新一个季度的财务报告，并召开财报电话会议。过去几个月里，存储器价格的大幅上涨大概率将推动三星的业绩增长。有数据显示，三星内存和SSD在过去两个月里，价格已涨至原来的二倍到三倍，而且2026年第一季度预计还会继续上涨。

据TrendForce报道，消费端产品价格上涨主要原因来自于三星的战略，更侧重于将产品分配给企业客户，因为企业级存储产品通常比消费端产品价格高出40%以上，这反映了对可靠性、稳定性、以及更高材料成本的严格要求。

有报告称，三星的DRAM库存仅维持在6周左右的供应链，大约是6至12周正常水平的一半。作为三大原厂里产能最大的一家，三星有望在这一由供应商主导的细分市场中获得更高的利润。近期有传言称，三星会将全部存储产品的价格上调80%以上，不过官方已经对此否认，并未对所有存储产品全面涨价80%。

与DRAM的情况类似，NAND闪存也处于价格上涨的浪潮中。传闻去年末，三星与主要客户签订了供应合同，从今年1月起开始执行更高的采购价格。尽管外界猜测2026年第一季度涨幅超过100%，但是有业内人士透露，三星还没有正式公布价格，不过预计涨幅也会在50%以上。除了三星以外，其他NAND闪存制造厂商也将提高报价，预计涨幅在50%至80%。

无论如何，存储器的这次涨价潮仍然在继续，相比于第一季度的大幅跳涨，第二季度趋势有可能相对缓和。

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不过，它强大了也不全都是好事……消息称三星正在策划新一轮存储器价格上涨，虽然没有此前传言的80%那么离谱，但预计涨幅也会在50%以上。这轮涨价潮看来是停不下来了，不知道大家怎么看呢？

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