北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路”的专利，公开号CN121398580A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路，属于半导体技术领域，所述制作方法至少包括以下步骤：蚀刻多层层间介质层，在器件区形成垂直接触孔，在密封环区形成异形接触孔，且异形接触孔的径向尺寸随着深度增加而减小；蚀刻垂直接触孔外围的部分多层层间介质层，在接触孔远离底层金属层的一侧形成沟槽，接触孔靠近底层金属层的一侧形成通孔；同步蚀刻多层层间介质层顶部，使相邻的异形接触孔连通；以及在通孔、沟槽和异形接触孔内沉积导电材料层，通孔和沟槽中的导电材料层形成大马士革结构，异形接触孔内的导电材料层形成密封环。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，可简化制程并减少缺陷。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1599条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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