240亿美元，美光加码NAND产线

美光新加坡工厂预计将于2028年下半年投产晶圆。

据报道，美光科技计划在新加坡兴建一座先进晶圆制造厂，未来10年投资额240亿美元，新厂最终将提供70万平方英尺的无尘室空间。美光表示，2028年下半年投产晶圆，协助美光满足AI及数据密集应用快速发展下，市场对NAND闪存日益增长的需求。

美光科技新厂房位于其现有NAND闪存制造园区，周二举行新厂房奠基仪式，新加坡副总理兼贸易与工业部部长颜金勇、新加坡贸易与工业部常任秘书马宣仁、新加坡经济发展局局长黎佳明及裕廊集团CEO傅美晶出席。

美光科技全球运营执行副总裁Manish Bhatia表示，非常感谢新加坡政府，包括新加坡经济发展局和裕廊集团，这次投资凸显了美光对新加坡的长期承诺，新加坡是其全球制造网络的重要枢纽，有助于增强供应链韧性。

美光在新加坡本就拥有规模庞大的生产设施，公司98%的NAND Flash内存是在新加坡厂制造。另外美光正在新加坡建造耗资70亿美元的先进封装厂，也位于同一新加坡制造园区内，目前正按计划推进，预计2027年为美光的HBM供应作出贡献。随着HBM成为美光新加坡制造布局的一部分，该公司预计NAND闪存和DRAM生产之间将出现协同效应。美光将灵活调整新厂的产能提升速度，以适应市场需求。

美光公司称，对先进晶圆制造厂的投资将创造约1,600个工作机会，加上先前宣布的HBM先进封装工厂提供的1400个就业岗位，美光此次扩建将总共新增约3000个就业机会。这些岗位将专注于晶圆厂的工程和运营，整合AI、先进机械人和智能制造技术，以提高效率和创新能力。

2026年1月，美光接连发生了多个大动作。16日，美光位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的巨型DRAM内存晶圆厂正式破土动工。据悉，该项目总投资规模达1000亿美元，规划兴建多达四座晶圆厂，建成后将成为美国最大的半导体制造基地，并为当地创造约5万个就业机会。该厂预计于2030年前后开始投产，并于未来十年逐步提升产能。 美光指出，相关投资将有助于实现40% DRAM产品于美国本土生产的目标，并强化美国半导体供应链韧性。

1月17日，美光与力积电签署独家战略合作意向书，美光将以18亿美元收购力积电位于苗栗县铜锣科学园区的P5晶圆厂。这笔交易将为美光提供一座面积约2.8万平方米的现成12英寸晶圆生产线洁净室。美光将在此部署DRAM内存生产线，预计从2027H2开始为美光DRAM晶圆产出带来有意义的贡献。此外，美光将和力积电建立DRAM先进封装的长期晶圆代工关系，美光也将协助力积电在新竹P3厂精进现有利基型DRAM制程技术。

TrendForce表示，随着美光科技计划以18亿美元收购力积电在铜锣的厂房，双方将建立长期的DRAM先进封装代工关系，此次合作将有利于美光科技添加先进制程DRAM产能，并提升力积电的成熟制程DRAM供应，预估2027年全球DRAM产业供给将有上调空间。预估美光科技铜锣项目一期在2027年下半年可贡献的产能，将相当于美光科技2026年第四季度全球产能的10%以上。

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