北京
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121398569A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、元件隔离结构以及栅极。所述元件隔离结构设置于所述基底中，以界定出主动区。所述栅极设置于所述元件隔离结构上。所述元件隔离结构包括彼此连接的第一部分与第二部分。所述第一部分位于所述基底中。所述第二部分位于所述第一部分下方。所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度。所述第二部分中包括空穴。所述空穴在所述第二部分的延伸方向上延伸。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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