北京
国家知识产权局信息显示，上海盛剑半导体科技有限公司取得一项名为“一种等离子火炬阳极水冷结构、阳极组件及等离子火炬”的专利，授权公告号CN223843936U，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种等离子火炬阳极水冷结构、阳极组件及等离子火炬，涉及热等离子处理技术领域。该等离子火炬阳极水冷结构包括阳极盘，阳极盘的一侧开设有沉槽；阳极盘的另一侧设有凸台，凸台开设有沿轴向贯穿的安装通孔，安装通孔与沉槽连通；安装通孔具有依次连通的第一孔段和第二孔段；第一孔段的第一内径大于第二孔段的第二内径；安装通孔用于容置阳极的部分，且阳极与第二孔段密封连接，阳极与第一孔段之间具有第一间隙；第一孔段与沉槽共同形成冷却腔室的一部分；阳极盘的侧壁开设有第一进水口，第一进水口与沉槽连通。上述水冷结构能够提供更大的储水空间，带走更多的热量，保证阳极工作的稳定性和持久性。
天眼查资料显示，上海盛剑半导体科技有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本11750万人民币。通过天眼查大数据分析，上海盛剑半导体科技有限公司参与招投标项目6次，专利信息124条，此外企业还拥有行政许可34个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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