北京
国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“一种改善半导体器件边缘密度效应的工艺方法”的专利，公开号CN121398001A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善半导体器件边缘密度效应的工艺方法，涉及半导体技术领域。该工艺方法包括：在基底上形成电容器结构，电容器结构所在区域划分为阵列区和有源区；电容器结构至少包括沿第一方向叠摞设置的层叠结构，且层叠结构的阵列区布置有多个并列间隔排布且均沿第一方向延伸的电容管；在电容器结构的有源区形成填充图形，填充图形包括沿第一方向延伸至层叠结构内的沟槽和填充于沟槽的填充层。该工艺方法通过在电容器结构的有源区形成填充图形，以减小阵列区和有源区的图形密度差异，相应提高电容器结构经过CMP平坦化工艺后的表面平坦程度、降低边缘密度效应，进而减小对后道布线等工艺的精确度的不良影响，确保器件性能及成品良率。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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