三星HBM4，即将量产

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一位知情人士周一告诉路透社，三星电子计划从下个月开始生产其下一代高带宽内存（HBM）芯片，即HBM4，并将其供应给英伟达。

该人士拒绝透露更多细节，例如计划向英伟达供应多少芯片。

三星发言人拒绝置评。

据韩国《韩国经济日报》周一报道，三星芯片通过了英伟达和AMD的HBM4认证测试，并将于下个月开始向这两家公司供货。该报道援引了芯片行业消息人士的话。

HBM4大战

韩国记忆体芯片制造商SK海力士于9月12日宣布，已准备好量产其下一代高频宽记忆体HBM4芯片，此举使其领先竞争对手，并成为业界新的里程碑。

HBM凭借其紧凑、高容量的体积和卓越的记忆体频宽，成为AI训练的首选记忆体。 HBM4 是HBM 标准的第四代重要版本，由于其采用2,048个输入/输出端子，使频宽翻倍，而且其具备全新的电源管理和RAS 功能。

最让其吃惊的是，SK海力士在HBM4中实现了超过10Gbps的运行速度，远远超过了JEDEC标准运行速度8Gbps。

辉达预计于2026 年下半年推出的下一代GPU平台Rubin中使用8颗SK海力士的12层HBM4芯片。由于SK海力士生产出更具优势的HBM4，这使得三星电子和美光科技要追SK海力士的脚步，变得更不容易了。

例如：美光公司于2025年6月开始向客户提供36 GB 12层HBM4堆叠样品，且这些堆叠采用2048位元接口，频宽约为目前HBM3e 模组的两倍，预计将于2026年某个时候开始量产。

同时，三星一直在努力使其HBM3e堆叠获得辉达Blackwell加速器的验证。至于HBM4则需要更多时间的突破。

近年来，随着AI需求和资料处理的急剧增长，对高频宽记忆体的需求也随之激增，从而加快了系统速度。此外，随着资料中心运作功耗的增加，确保记忆体的功耗效率已成为客户的关键要求。 SK海力士预计，频宽和功耗均有所提升的HBM4 将成为满足客户需求的最佳解决方案。

SK海力士表示，与上一代产品相比，HBM4的能源效率提升了40%以上，预计将AI服务效能提升高达69%，从而解决资料瓶颈问题，同时降低资料中心的能耗和成本。

在HBM4的量产方面，SK海力士采用了已被市场验证可靠的先进MR-MUF堆叠方法和第五代1b、10纳米制程技术，从而最大限度地降低了生产风险。

MR-MUF制程在堆叠芯片之间注入液态保护材料，保护电路并使其硬化，从而提高散热效率。该公司强调，这项技术对于确保HBM规模化生产的稳定性至关重要。如今即将建立全球首个HBM4量产系统，这让SK海力士更能站稳在HBM龙头的宝座。

业内分析师预测，SK海力士HBM4的售价可能比上一代产品高出60%至70%。随着竞争对手三星电子和美国美光科技于2026年以后进入市场，价格才可能会逐渐下降。

Counterpoint Research表示，尽管竞争格局瞬息万变，但其预计SK海力士仍将保持领先地位，到2026年有望占据HBM市场约50%的占有率。专家表示HBM4量产正为SK海力士于2026年带来更大竞争力呢！

（来源：编译自路透）

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