存储狂潮！高盛1月渠道调查：DRAM价格近期面临强劲上涨

如果你正在寻找半导体周期的确切信号，高盛亚太团队刚刚发布的2026年1月DRAM市场情绪指标不仅闪烁着红色的“买入”信号，更预示着一场价格风暴的来临。

据追风交易台，1月23日，高盛的最新渠道调查显示，DRAM合约价格在近期面临极强的上涨动力。核心逻辑简单而粗暴：现货价格已经相对于合约价格产生了巨大的溢价——DDR4的现货溢价甚至高达172%。这种巨大的价差在历史上是不可持续的，唯一的收敛方式就是合约价格大幅补涨。

与此同时，AI服务器的需求狂潮仍在继续，叠加韩国DRAM出口和中国台湾相关厂商营收的爆炸式增长，高盛对三星电子和SK海力士维持强劲的看多观点。对于投资者而言，这意味着存储芯片板块的盈利预期可能需要进一步上修，尤其是考虑到客户已经开始接受2026年一季度更激进的涨价幅度。

现货市场狂飙：DDR4溢价率高达172%

目前的市场定价已经严重脱节，预示着合约价格必须大幅调整。根据高盛的数据，自2026年年初以来，DDR5现货价格重新开启了大幅反弹模式；而DDR4现货价格自2024年9月以来的涨势仍在延续。

• DDR5：目前交易价格相较于12月的合约价格拥有76%的溢价
  
• DDR4：溢价更为惊人，高达172%。 这种现货与合约价格之间的巨大“剪刀差”，为近期合约价格的强劲上涨提供了极高概率的支撑。市场往往由现货领先，合约跟进，如此幅度的溢价意味着下游客户在谈判桌上几乎没有筹码。
  

硬件需求不仅没有放缓，反而因机架级AI服务器的出货量攀升而加速。高盛追踪的中国台湾服务器ODM厂商（包括英业达、广达、纬颖、纬创）的数据显示：

• 12月服务器ODM月度营收同比飙升94%
  
• 这是该数据连续第13个月保持50%以上的同比高增长。
  
• 作为服务器市场的领先指标，信骅科技（Aspeed，全球最大的BMC供应商）在2024年12月的高基数（当时同比增长131%）之上，2025年12月依然实现了18%的同比增长。
  

如果说服务器代表高端需求，那么二线厂商的数据则证实了广泛的涨价潮。中国台湾DRAM供应商南亚科技的数据令人咋舌：

• 12月营收同比暴增445%
  
• 这标志着该厂商连续5个月实现三位数的同比增长，且增速在逐月加快（8月至12月分别为+141%、+158%、+262%、+365%、+445%）。
  
• 这一增长主要受到DDR4价格强劲上涨的驱动。
  
• 此外，韩国DRAM出口额在12月也录得72%的同比增长，验证了供应紧张推高价格的宏观趋势。
  

真正的“Alpha”信息来自于高盛的一线渠道检查。在与投资者的讨论中，市场对2026年第一季度传统存储价格涨幅的预期在过去几周内持续攀升。

• 关键信号：移动端（Mobile）市场的特定客户已经开始接受2026年第一季度的报价。
  
• 涨幅超预期：无论是DRAM还是NAND，这些新接受的涨价幅度都明显高于2025年第四季度达成的协议。 高盛预计，其他客户也将跟随这一趋势，同意在1Q26大幅上调存储价格。结合现货价格的飙升，华尔街目前对近期存储价格和企业盈利的预期可能仍然偏低，存在进一步的上行空间。
  

尽管市场对HBM（高带宽内存）定价存在分歧，但出货量增长依然强劲。高盛指出，虽然过去一个月卖方共识对SK海力士今年的HBM业务定价预期略有下降，但高盛依然维持其独特的观点：

• 量增：高盛预计HBM出货量增速将比市场共识高出9个百分点
  
• 价减：由于预期HBM3E 12-Hi定价会有显著削减，高盛对价格的预期比共识低17个百分点。
  

投资评级与目标价：基于上述基本面，高盛维持对韩国两大巨头的“买入”评级：

• 三星电子（Samsung Electronics）：12个月目标价180,000韩元。估值逻辑基于SOTP（分部估值法），即使面临主要下行风险（供需恶化、OLED份额流失），其1Q26 DRAM混合平均售价（ASP）预计仍将环比增长约50%
  
• SK海力士（SK Hynix）：12个月目标价700,000韩元。高盛给予其相对于三星30%的AI溢价，目标市净率（P/B）设定为2.8倍，这一倍数参考了2009-2010年强劲上行周期的峰值。
  

从现货溢价的极端水平到ODM营收的持续井喷，所有迹象都指向存储行业的“超级周期”仍在加速。对于投资者而言，现在的关键不是质疑涨价是否会发生，而是这波涨价潮将把相关公司的股价推向何种高度。