北京
国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司取得一项名为“一种氮化铝生长装置”的专利，授权公告号CN223823735U，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种氮化铝生长装置，包括：坩埚、设置于坩埚中部的原料埚组件以及沿纵向分别配置于原料埚组件上下两侧的第一固定结构与第二固定结构；其中，原料埚组件将坩埚的内腔分隔为沿纵向排布且相互连通的第一升华区与第二升华区；原料埚组件包括原料埚，原料埚用于盛放氮化铝原料；第一固定结构用于固定第一籽晶并将第一籽晶的生长面暴露于第一升华区；第二固定结构用于固定第二籽晶并将第二籽晶的生长面暴露于第二升华区。本实用新型所揭示的氮化铝生长装置，实现了单炉次同时生长两颗氮化铝晶锭，提高生产效率。
天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息384条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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