北京
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国家知识产权局信息显示，拓荆科技（上海）有限公司申请一项名为“3D NAND膜的沉积系统、沉积方法及一种存储介质”的专利，公开号CN121380921A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种3D NAND膜的沉积系统，包括工艺腔室、射频电源和控制器。该工艺腔室用于容纳待成膜的晶圆。该射频电源用于向工艺腔室提供射频电场。该控制器被配置为根据3D NAND膜厚度与硬度的第一对应关系，以及3D NAND膜硬度与射频功率的第二对应关系，确定射频电源在多个不同膜厚处提供的射频电场的射频功率，其中，射频电源提供的射频功率随3D NAND膜厚度的增大而增大，以在晶圆上沉积硬度均匀的3D NAND膜。
天眼查资料显示，拓荆科技（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本143253.79万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆科技（上海）有限公司参与招投标项目37次，专利信息361条，此外企业还拥有行政许可40个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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