北京
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国家知识产权局信息显示，周星工程股份有限公司申请一项名为“形成镓氮氧化物层的方法”的专利，公开号CN121400116A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种在基板上形成镓氮氧化物（GaON）层的方法，该方法包括如下步骤：喷射含镓（Ga）的源材料；通过喷射含氮的第一反应材料来形成镓氮化物层；以及向镓氮化物层上喷射含氧的第二反应材料。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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