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智通财经APP获悉，有媒体报道称，总部位于韩国的存储芯片巨头三星电子在一份邮件回复中表示，市场上关于其DRAM存储产品——DDR系列内存条价格上涨80%的涨幅传闻并不准确，具体以分销商涨幅为准。三星电子的大型分销商们已发出价格上涨通知，主要原因是全球半导体市场供需格局的深层次变化，包括供应端可能面临长期限制以及上游制造成本的急剧上升、存储芯片产能远远不及市场需求。
然而，一些接受媒体采访的内存模块产品制造商指出，他们尚未收到任何关于大幅涨价的通知;据媒体报道，另一家内存模块制造商则表示，三星内存条价格确实将大幅上涨，但该制造商并未提供具体的涨幅数据。
本月早些时候，有报道称韩国两大存储芯片制造商，同时也是全球最大规模的两大存储芯片制造商——三星电子以及SK海力士正在考虑在第一季度将服务器级别的DDR系列(包括DDR4与DDR5)内存价格提高最多70%，因为超大规模数据中心AI训练/推理系统所带来的需求激增态势全方位影响了全球供应体系。
此前在2025年11月，有媒体报道显示，三星电子、SK海力士以及美国本土的存储芯片制造商美光科技(MU.US)这三大存储芯片原厂们在大幅减少DRAM/NAND整体产能以全面聚焦于高带宽内存(即HBM存储系统)产能之后，已经面临老式动态RAM(即传统DRAM系列内存)产品线的严重短缺。
三星与SK海力士大举加码HBM产能，DDR系列与企业级SSD疯狂涨价
HBM是英伟达、AMD以及谷歌/博通等芯片设计巨头们打造AI GPU/ AI ASIC算力集群所必需具备的存储系统，无论是谷歌无比庞大的TPU AI算力集群，抑或海量英伟达AI GPU算力集群，均离不开需要全面集成搭载AI芯片的HBM存储系统。SK海力士则是“AI芯片超级霸主”英伟达(NVDA.US)最核心的HBM芯片供应商。
此外，据韩国媒体报道称，三星电子面向英伟达以及AMD等AI芯片厂商们的定制化HBM4E设计工作计划于2026年5月至6月间完成。这一最新的时间表显示，尽管三星的HBM4仍以标准化产品为主，但行业重心正迅速向聚焦与AI GPU/AI ASIC定制化集成的HBM4E及未来的HBM5产能转移。与此同时，三星长期以来的最大竞争对手SK海力士和美光也在推进类似的时间表，主要内存制造商们在下一代技术研发进度上并未拉开显著差距。
SK海力士、三星以及美光这三大堪称垄断的存储芯片原厂纷纷将多数产能集中于HBM存储系统——这类存储产品需要的先进制程产能以及制造、封测复杂度相比于DDR系列以及HDD/SSD系列存储芯片而言复杂得多，因此三大存储芯片领军者不断将产能迁移至HBM，在很大程度上导致这些硬盘类存储产品供不应求。
行业统计数据显示，2025年9月以来，DDR5系列内存条的价格整体涨幅超过300%，DDR4内存条涨幅也超150%。
Counterpoint Research等机构的行业调研显示，AI服务器系统对数据中心级别内存条的需求量是普通服务器系统的至少8-10倍，如此庞大的需求，使得AI服务器目前已消耗全球内存月产能的53%，海量高端存储需求可谓严重挤压了消费级内存DDR系列产品的产能分配。包括谷歌、微软在内的全球头部云计算服务厂商们纷纷抛出巨额采购订单，甚至包下三大存储芯片原厂们未来2-3年的一部分闲置产能。
花旗的分析师们预计，受AI训练和推理需求的双重推动，2026年数据中心企业级服务器DRAM的ASP将同比暴涨144%(此前预测为+91%);以主流产品64GB DDR5 RDIMM为例，花旗预测其价格将在2026年第一季度达到620美元，环比增长38%，远高于此前预测的518美元。在NAND领域，花旗的预测同样激进，将2026年的ASP增长预期从+44%上调至+74%;其中，企业级SSD的ASP预计将同比增长87%。在花旗的分析师们看来，存储芯片市场将进入一个极其剧烈的卖方市场，定价权将完全掌握在三星、SK海力士以及美光、闪迪等存储巨头手中。
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