北京
分享至
国家知识产权局信息显示，华中科技大学;上海精测半导体技术有限公司申请一项名为“一种非均匀离子注入掺杂浓度的二次谐波信号获取方法及应用”的专利，公开号CN121398546A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明属于半导体掺杂相关技术领域，其公开了一种非均匀离子注入掺杂浓度的二次谐波信号获取方法及应用，步骤为：S1，基于离子注入掺杂样品中光学性质分布模型确定特定激光波长下、离子注入掺杂样品不同深度位置的折射率和吸收系数；S2，基于得到的折射率和吸收系数计算掺杂样品中基频光电场分布；S3，基于简化键超极化率模型及基频光电场分布计算获得非均匀掺杂离子注入样品的极化强度及有效二阶极化率；S4，基于得到的各层极化强度或者有效二阶极化率计算对应层在预定观测角下的远场二次谐波，并对所有层对应的远场二次谐波进行积分，以获取结深远场辐射的二次谐波总强度。本发明解决了测量灵敏度和重复性降低的问题。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
