北京
国家知识产权局信息显示，深圳市晶相技术有限公司;广东晶相光电科技有限公司;苏州辰华半导体技术有限公司申请一项名为“一种半导体器件”的专利，公开号CN121398287A，申请日期为2021年9月。
专利摘要显示，本发明提出一种半导体器件，包括：衬底；缓冲层，设置在所述衬底上，所述缓冲层的厚度为20～300nm；第一半导体层，设置在所述缓冲层上，连接第一电极；有源层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述有源层上，连接第二电极；以及空穴注入层，设置在所述第二半导体层上，且所述空穴注入层包括非或低掺杂的氮化镓层，和/或掺杂的氮化镓层。通过本发明提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。
天眼查资料显示，深圳市晶相技术有限公司，成立于2015年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市晶相技术有限公司共对外投资了5家企业，财产线索方面有商标信息6条，专利信息123条，此外企业还拥有行政许可7个。
广东晶相光电科技有限公司，成立于2021年，位于江门市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，广东晶相光电科技有限公司专利信息26条，此外企业还拥有行政许可5个。
苏州辰华半导体技术有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州辰华半导体技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，专利信息64条，此外企业还拥有行政许可10个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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