“DRAM风暴”正在卷向汽车业？

据追风交易台，瑞银最新发布的全球汽车行业研究报告显示，一场由DRAM（动态随机存取存储器）芯片引发的供应链震荡正逼近汽车产业。受生成式AI爆发导致全球晶圆产能向高性能芯片倾斜的影响，汽车级内存芯片正面临价格暴涨与供应短缺的双重挤压，其负面冲击预计将从2026年第二季度开始显现。

瑞银指出，全球三大DRAM供应商三星、SK 海力士和美光为追求更高利润，正将产能重心转向AI服务器所需的高带宽内存（HBM）。这一战略调整直接挤压了汽车级DDR内存的供给空间。截至报告发布时，DRAM芯片价格已上涨超100%，且涨势预计将持续传导至汽车级产品，导致汽车业在技术过渡期内面临严峻的供应真空。

瑞银模型显示，在DRAM价格大幅上涨且成本无法完全转嫁的压力下，零部件供应商的盈利能力将遭受显著打击。基准情景下（DRAM芯片涨价120%、OEM成本回收比例80%），瑞银测算得出汽车零部件供应商2026年EBIT将下滑5%-6%。若进入更悲观的极端情景——DRAM涨价幅度扩大至200%，且OEM成本回收比例降至50%，EBIT下滑幅度将飙升至24%，盈利缩水规模可达4.8亿欧元，接近其原本EBIT规模的一半。

对于整车厂而言，冲击呈现出滞后性与结构性特征。虽然目前暂无供应中断迹象，但未来12-24个月内供应链稳定性堪忧。特别是采用集中式计算架构的高端品牌及新势力车企，因单车DRAM含量较高，将面临更大的成本波动风险。

产能挤压与技术断层

造成此次危机的核心原因在于全球半导体资源的重新分配与技术迭代周期的错配。

自2025年起，AI服务器对HBM的需求激增，促使占据全球超90%市场份额的三大供应商调整晶圆分配。由于汽车级DRAM与AI芯片共享全球硅晶圆产能，每一块分配给HBM的晶圆，都意味着汽车DDR内存产能的缩减。

与此同时，汽车行业正处于从DDR4、LPDDR4等旧技术向DDR5新技术切换的过渡期。供应商正逐步淘汰旧技术产能，但汽车业完成新芯片的测试、验证及采购流程通常需要2年以上。这意味着在2026年至2027年间，汽车业将面临旧芯片供给收缩、新芯片尚未普及的“技术断层”。

EBIT或面临双位数下滑

对零部件供应商的盈利冲击，是瑞银测算的核心重点。

以欧洲为例，瑞银通过构建财务模型，量化了DRAM涨价对零部件供应商的具体冲击。测算选取了一家年销售额200亿欧元、EBIT利润率为5%的通用零部件供应商作为基准样本。

在基准情景下，假设DRAM芯片价格上涨120%，且供应商能够从整车厂（OEM）回收80%的上涨成本，该企业的2026年EBIT预计将下滑约5%-6%，盈利规模直接缩水约1-1.2亿欧元。然而，在更为悲观的情景下，若DRAM涨价幅度扩大至200%，且成本回收比例降至50%，EBIT下滑幅度将飙升至24%，盈利缩水规模可达4.8亿欧元，接近其原本EBIT规模的一半。

这一测算结果表明，零部件供应商的盈利安全垫正在变薄。瑞银强调，电子及ADAS（高级驾驶辅助系统）业务占比越高的企业，风险暴露度越大。在欧美市场中，Visteon和Aumovio（原大陆集团汽车业务）的相关业务占比超过50%，成为受DRAM风暴影响最为直接的企业。

整车厂的结构性风险

对于整车厂（OEM）而言，DRAM成本占整车售价的比例虽然不高，但随着智能化水平提升，单车DRAM含量已达到25-150美元，高端车型甚至更高。瑞银指出，特斯拉、RIVN等采用集中式计算架构的企业，因其高阶智驾与智能座舱系统对内存容量需求巨大，受影响更为突出。

尽管目前尚未出现大规模的供应不稳定或价格重谈，但瑞银警告，汽车业在与财力雄厚的科技巨头争夺DRAM产能时缺乏优势。长期来看，涨价带来的成本压力可能引发冗长的追溯性补偿谈判，从而加剧整车厂的财务波动。

在应对策略上，瑞银认为现有库存和长期采购合同仅能提供短期缓冲，长期解决方案需依赖2028年后的产品重新设计。从市场数据看，2026年全球DRAM行业收入预计将同比增长148.4%至366亿美元，供需缺口将持续存在，DDR内存每Gb均价预计将达0.92美元。