广东
1月20日消息，据《朝鲜日报》援引市场研究公司Omdia的最新调研数据报道称，存储芯片大厂三星电子已经小幅下调了NAND Flash晶圆产量，预计从2025年的490万片降至2026年的468万片。与此同时，SK海力士的2026年NAND Flash产量预计也将呈现类似趋势，从2025年的190万片降至2026年的170万片。这也意味着，2026年全球NAND Flash市场供应将继续紧缺，价格可能将进一步上涨。
报道称，占据全球NAND Flash市场超过60%份额的三星电子和SK海力士减产主要原因是，与当前盈利能力更高的DRAM产品相比，NAND Flash的利润率相对较低，因此资本投资的优先级也较低。
三星电子和SK海力士的管理层也认为没有必要大幅提高NAND Flash的产量，因为这两家原厂过去在NAND Flash产品上的盈利能力一直处于较低水平，而利用当前的存储器超级周期可以最大限度地提高利润，因此他们认为专注于价格防御远比贸然扩产更合适。
此外，随着人工智能（AI）数据中心对基于NAND Flash的高容量固态硬盘（SSD）的需求不断增长，三星电子和SK海力士为提升单位NAND Flash芯片的容量供应，正在从现有的TLC（Triple-Level Cell，三层单元）技术向更适合AI数据中心需求的QLC（Quad-Level Cell，四层单元）生产线过渡。
资料显示，NAND Flash从TLC 转向QLC，每个储存单元（Cell）能够储存更多的数据位元（Bits），存储密度将进一步提升，这也意味着能够在相同的NAND Flash芯片中存储更多的数据，并降低综合成本，虽然会牺牲部分的耐用性，但如果配合优秀的主控以及用于无需频繁读写的数据存储，这也将不是问题。
据花旗银行的预测，英伟达下一代AI加速器“Vera Rubin”将于今年下半年开始量产，每台Vera Rubin NVL144服务器系统大约需要额外1152TB的固态硬盘（SSD）来支持英伟达的ICMS（集成存储管理系统）运行。因此，假设Vera Rubin服务器在2026年的出货量为3万台，2027年为10万台，那么由ICMS驱动的NAND Flash需求预计将在2026年达到3460万TB，在2027年达到1.152亿TB。仅这一项新增的需求，将分别占2026年和2027年全球NAND Flash预期需求的2.8%和9.3%。
所以，对于存储芯片原厂来说，通过单纯的增加NAND Flash晶圆的产出来应对需求的增长并非明智之举，而通过TLC 转向QLC技术，则更能在有限的成本支出内获得更多的容量产出。但是，在TLC 转向QLC技术的过程中，三星电子和SK海力士需要考虑诸多因素，包括设备建设、稳定期和初始良率等，因此过渡期间的自然减产也将不可避免。这也是三星电子和SK海力士今年NAND Flash产出将减少的一个原因。
一位半导体行业人士解释说：“目前尚不清楚三星电子和SK海力士削减NAND Flash产量是出于有意还是自然而然，但无论如何，减产带来的好处将在今年达到顶峰。”
另有分析表明，三星电子和SK海力士削减NAND Flash产量是进行产品组合的调整，以应对中国厂商不断增加的通用NAND Flash供应的竞争。与三星电子和SK海力士减产不同，中国NAND Flash大厂长江存储自去年以来一直在加大对通用NAND Flash的供应。
因此，三星电子和SK海力士削减NAND Flash产量，也被认为是通过减少面向移动和PC领域的NAND Flash供应，来应对中国厂商在这个市场带来的价格竞争，同时增加在利润率更高的服务器和企业级产品的供应，从而维护盈利能力的策略。
市场研究机构TrendForce此前也预计，三星电子、SK海力士等厂商维持着较为保守的NAND Flash产能策略，预计今年第一季度NAND Flash合约价格将比上一季度上涨33%至38%。IDC也观察到，今年NAND Flash 容量的供应增长率预计在17%左右，低于近年来的平均水平。
野村证券今年年初在给客户的报告中写道：“渠道检查显示，多家存储供应商持续推高价格，企业级NAND Flash价格涨幅尤为激进。”“SanDisk面向企业SSD的NAND Flash有望在3月份环比涨价超过100%。”
编辑：芯智讯-浪客剑
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