DRAM，何以至此？

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随着超大规模数据中心改写内存市场规则，内存短缺可能会持续到 2027 年。

由于担心未来可能出现短缺，客户争相确保生产所需的内存供应，人工智能数据中心对服务器 DRAM 的强劲需求推高了整个市场的内存价格。

DRAM市场正处于人工智能驱动的上升周期，自2025年第三季度以来，超大规模数据中心大量消耗供应，推高了价格。由于人工智能服务器每个系统所需的DDR5（和HBM）内存远多于传统服务器，因此PC、智能手机和其他终端市场的内存供应正在趋紧。

在此背景下，Yole Group内存与计算业务总监John Lorenz强调了当前价格动态的一个关键驱动因素：对未来供应短缺的担忧。由于DRAM制造商优先生产利润更高的HBM和服务器级DDR5，其他细分市场则采取防御性措施，通常会提前采购，从而加剧短缺并推高现货价格。

最新一轮价格上涨始于2025年第三季度，DRAM价格环比上涨13.5%。尽管DRAM市场波动较大，过去价格波动幅度曾达到15%至20%，但此次上涨是在2023年至2024年底和2025年初强劲反弹的基础上实现的。这表明市场已达到周期性峰值，即将迎来回调。然而，公司财报的早期信号显示，第四季度价格可能进一步上涨30%。

Yole集团内存与计算总监：“如果你是一家想要生产新款智能手机或个人电脑的公司，你需要DRAM来填充设备。如果你发现大量产能被转移到满足服务器需求，你就会担心自身供应的可用性，并试图购买超出实际需求的内存……这是一种心理作用。这种对未来供应短缺的恐惧正在驱动今天的价格波动。”

服务器所用DDR5内存的现货价格在某些情况下飙升了100%。PC制造商已经感受到了这种影响：惠普和戴尔都警告称，他们可能会在明年从产品线中移除某些笔记本电脑型号，原因可能是DRAM内存价格过高，也可能是他们担心无法采购到足够的内存。

人工智能基础设施正在重塑DRAM需求曲线

造成这种不平衡的核心在于人工智能基础设施的建设。数据中心运营商正在大规模采购人工智能加速器，以及运行这些加速器所需的通用服务器。人工智能加速器依赖于高带宽内存（HBM），而主机服务器则消耗大量的标准DDR5内存。

一台配置八个加速器（每个加速器配备 200GB HBM 显存）的 AI 服务器，总共包含约 1.6TB 的 HBM 显存和约 3TB 的 DDR5 内存。相比之下，一台典型的非 AI 服务器在 2025 年建造时，总共使用的 DRAM 内存不足 1TB。这种单系统内存容量的快速增长已经超过了供应能力。

HBM进一步扭曲了市场，其价格和利润率远高于DDR5，因此制造商有强烈的动机优先生产HBM。生产HBM每GB所需的晶圆数量可能是DDR5的四倍，这意味着提高产量的举措会减少传统服务器内存的可用容量。

这些影响正波及其他终端市场。汽车应用通常使用LPDDR4和LPDDR5内存，这种内存也用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑。但由于汽车行业对内存供应商而言仍然是一项战略性战略，尤其是在自动驾驶汽车发展需要更多内存的情况下，他们不太可能切断与该行业的联系。然而，他们确实拥有向汽车客户收取更高价格以继续获得供应的优势。

来自 Yole Group 的 John Lorenz表示。由于制造 LP DDR 的工艺大约 80% 与制造 DDR 的工艺相同，因此产能在某种程度上是可以互换的，也就是说，如果一家 DRAM 公司有动力为其 AI 服务器客户生产 DDR5 和 HBM，那么 LP DDR 的供应也会受到影响。

这种动态有助于解释美光决定逐步关闭其 Crucial 消费业务等战略举措，这反映出该公司更注重利润更高的 AI 驱动型需求，而不是直接面向消费者的产品。你

在数据中心之外，智能手机约占全球DRAM位需求的25%，而个人电脑约占10-11%。除手机和个人电脑之外的消费电子产品，包括游戏设备和可穿戴设备，又占6%。汽车行业约占5%，工业、医疗和军事用途合计约占4%。

数据中心占据主导地位，约占DRAM总比特需求的50%。仅人工智能工作负载就占总需求的约30%（包括HBM和非HBM），这使得它们对定价拥有巨大的影响力。

超大规模数据中心的需求日益影响着DRAM的定价。

历史表明DRAM市场周期变化之快。2014年至2016年间，由于需求疲软，DRAM价格下跌，促使安卓智能手机制造商，尤其是中国的制造商，通过增加内存容量来展开竞争。新增需求消化了过剩的供应，推高了价格，直到成本挤压了利润空间，厂商才停止增加内存容量或转向低配机型。

这一次，通常的高价会引发需求回落的自我调节机制尚未出现。超大规模数据中心和服务器制造商对价格的敏感度远低于消费电子设备制造商，他们愿意支付更高的价格来确保DRAM供应，以保持在人工智能领域的竞争力，从而推高了其他所有厂商的价格。

在供应方面，由于生产周期长，缓解供应紧张的措施受到结构性制约。建设或扩建一座DRAM工厂通常需要2-3年才能实现量产。预计2026年将有一些新增供应，但数量仍然有限。

中国的CXMT正在扩建产能，但主要服务于国内客户，尚未满足全球领先买家的需求。三星正在其P4工厂增设设备，但优先生产HBM而非更广泛的DRAM产品。SK海力士的M15X工厂预计将于2026年下半年开始投产，并在2027年实现更显著的产量，而美光位于博伊西的新工厂预计也将在2027年开始增加产能。

在此之前，智能手机和个人电脑制造商需要放缓内存容量增长速度，或者人工智能基础设施支出需要有所缓和，才能在大规模容量增加之前缓解价格压力。

随着人工智能基础设施不断重塑内存需求，DRAM定价将继续成为整个电子生态系统（远不止数据中心领域）关注的焦点。了解技术转型、供应分配和超大规模数据中心采购策略之间的相互作用，对于预测各市场的风险和机遇至关重要。

https://www.yolegroup.com/strategy-insights/why-dram-prices-keep-rising-in-the-age-of-ai/

（来源：编译自yole）

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