NAND雪上加霜，巨头削减产能

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占据全球NAND闪存市场60%以上份额的三星电子和SK海力士预计将在今年减产。在英伟达等公司引领的推理人工智能（AI）领域竞争日益激烈的背景下，作为关键组件的NAND闪存供应紧张，增加了包括服务器、个人电脑和移动设备在内的所有领域价格持续上涨的可能性。分析师预测，这将对三星电子和SK海力士的营业利润率以及DRAM市场产生同样积极的影响。

据市场研究公司Omdia于20日通过《朝鲜商业》获得的数据显示，三星电子小幅下调了其NAND闪存晶圆产量预期，从去年的490万片降至今年的468万片。这是继去年因预计2024年NAND闪存盈利能力大幅下降而进行的减产之后的又一次下调。SK海力士的NAND闪存产量预计也将呈现类似趋势，去年为190万片，今年为170万片。

鉴于今年人工智能（AI）的兴起带动了NAND闪存市场需求的激增，主要供应商三星电子和SK海力士的供货调整可能会加剧供应短缺，不仅在AI服务器领域，而且在包括移动设备和个人电脑在内的所有领域都将受到影响。据花旗证券称，英伟达下一代AI加速器Vera Rubin的固态硬盘（SSD）容量为1152TB，是其现有产品Blackwell的10倍以上，该产品将于今年下半年量产。Vera Rubin预计今年出货量为3万台，明年为10万台，这将分别在2026年和2027年创造3460万TB和1.152亿TB的新增需求。

普遍认为，三星电子和SK海力士NAND闪存产量下降是由于与盈利能力最强的DRAM相比，它们对NAND闪存的投资优先级较低。此外，随着人工智能数据中心对高容量固态硬盘（SSD）的需求不断增长，生产线向QLC（四层单元）技术转换过程中不可避免的自然减产也是必然的。从现有的三层单元（TLC）技术过渡到更适合人工智能数据中心的QLC技术，涉及诸多因素，包括设备配置、稳定期和初始良率。

据报道，三星电子和SK海力士的高管也认为没有理由大幅提高NAND闪存的产量。由于盈利能力长期下滑，他们不得不专注于价格防御，而他们可以利用当前的存储器市场繁荣来最大化利润。一位半导体行业内部人士解释说：“三星电子和SK海力士削减NAND闪存产量是出于有意还是无奈，无论哪种情况，减产带来的好处都将在今年达到顶峰。”

一些分析人士认为，这反映出人们越来越意识到中国通用型NAND闪存供应量的增长。与三星电子和SK海力士不同，中国长江存储自去年以来一直在稳步提高其NAND闪存产量，这表明其在市场上的地位日益稳固。这表明，为了应对中国低价攻势，长江存储致力于调整其产品组合，减少用于移动和PC应用的NAND闪存供应以保障盈利，同时增加用于服务器和企业级应用的NAND闪存供应。

各大市场研究机构正密切关注主要供应商的生产调整，并预测NAND闪存价格将从今年第一季度开始全面上涨。TrendForce预测，第一季度NAND闪存合约价格将环比上涨33%至38%，并指出三星电子和SK海力士等公司正在采取较为保守的NAND生产策略。IDC也预测，今年NAND闪存供应量增速约为17%，低于近年来的平均水平。

三星和SK海力士大幅提升HBM产能

全球两大存储芯片制造商三星电子和SK海力士正在提高半导体产量，以满足从HBM到DDR等更通用芯片以及基于NAND闪存的固态硬盘(SSD)等各种芯片的全面需求。

据多家韩国媒体报道，为满足其最大客户英伟达的大量订单，三星的HBM产能预计在2026年比上一年增长50% 。

这家总部位于京畿道水原市的芯片制造商在去年10月的最新一次电话会议上预测，其产能和制造设施的建设可能会有所提升。

三星电子存储器业务副总裁金在俊表示：“我们正在内部审查扩大 HBM 生产的可能性。”

为了实现规模化扩张，三星在去年11月与韩国总统李在明及各大财阀领导人会面后，宣布计划在京畿道平泽市新建一座名为P5的工厂，投资额达60万亿韩元（约合415亿美元）。这项投资额约为三星此前在平泽市各工厂投资额的两倍。

三星证实，P5工厂已于去年11月破土动工，预计将于2028年投产。另有消息称，平泽芯片集群的最后一座芯片工厂P6的建设项目也在推进中。不过，三星发言人表示，P6的计划仍“尚未最终确定”。

一位了解内情的平泽市官员表示，三星正获得积极的行政支持，以加快P5项目的建设进程。

“由于P系列工厂位于指定的工业园区内，任何与建设相关的修改或新增要求通常都需要漫长的审批流程，往往需要三到四个月的时间，”该官员说。“我们正在努力通过协调相关部门并与京畿道政府磋商，尽可能缩短审批时间。”

位于平泽的三星电子园区目前运营着四座晶圆厂，编号分别为P1至P4。据KB证券预测，到2026年第二季度，三星预计将在P4晶圆厂每月新增约6万片DRAM晶圆产能。

报道称，三星第六代HBM（HBM4）在英伟达内部测试中表现出色，其性能超越了SK海力士和美光等竞争对手。HBM4将用于英伟达的下一代Rubin处理器。

三星HBM4的单引脚数据传输速度达到了11Gbps，超过了英伟达Rubin平台10Gbps的标准要求。

一位三星电子内部人士表示：“公司内部弥漫着兴奋的气氛，我相信大家普遍认为这款产品极具竞争力。”

单引脚数据传输速度衡量的是内存芯片与处理器之间每个连接传输数据的速度。在HBM技术中，即使单引脚性能的微小提升也能转化为显著的性能提升。英伟达一直致力于提升这一指标，以应对AMD即将推出的MI450处理器的竞争，后者预计也将在今年下半年发布。

到2026年底，HBM晶圆的月产量预计将达到25万片，比目前的17万片增长超过47%。KB

证券分析师金东元表示：“预计三星2026年的HBM出货量将同比增长三倍，达到112亿Gb，其中HBM4将约占总出货量的一半。”金东元补充道，预计三星的HBM市场份额明年将飙升至35%，比2025年预计的16%增长一倍以上。

对于SK海力士而言，投资超过20万亿韩元的M15X工厂将运营两个洁净室，洁净室是指用于芯片生产的严格控制的制造空间。第一个洁净室已于去年10月开始设备安装，并计划于今年2月进行试生产，随后投入量产；第二个洁净室预计将于年底前完工。该工厂预计将于2027年中期全面投入使用，月产量预计约为5万片晶圆。SK

海力士去年10月还预测将增加基础设施投资，这反映了其为龙仁芯片集群和印第安纳州HBM封装工厂所做的准备。SK集团董事长崔泰元去年11月曾表示，仅龙仁园区的投资额就可能达到600万亿韩元，是该公司最初设定的128万亿韩元目标的四倍多。

https://biz.chosun.com/it-science/ict/2026/01/20/KO66OHRDJJHGPLQBCFBASNU3NQ/

（来源：编译自chosun）

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